电子释放检测

2025-05-22 关键词：电子释放测试方法,电子释放测试机构,电子释放项目报价相关：

电子释放检测摘要：检测项目1.功函数测试：测量范围0.5-6.0eV，精度0.02eV2.热发射电流密度：测试温度300-2500K，量程10^-12-10^-3A/cm3.场致发射阈值场强：电场强度0.1-50V/μm4.二次电子产额系数：能量范围0.1-30keV5.表面逸出深度分析：分辨率达0.1nm检测范围1.半导体材料（GaAs、SiC等）2.场发射显示器阴极材料3.真空电子器件电极4.粒子加速器发射极5.X射线管靶材检测方法1.ASTMF312-18热电子发射特性测试规程2.ISO18503:2015场致发射表

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.功函数测试：测量范围0.5-6.0eV，精度0.02eV
2.热发射电流密度：测试温度300-2500K，量程10^-12-10^-3A/cm
3.场致发射阈值场强：电场强度0.1-50V/μm
4.二次电子产额系数：能量范围0.1-30keV
5.表面逸出深度分析：分辨率达0.1nm

检测范围

1.半导体材料（GaAs、SiC等）
2.场发射显示器阴极材料
3.真空电子器件电极
4.粒子加速器发射极
5.X射线管靶材

检测方法

1.ASTMF312-18热电子发射特性测试规程
2.ISO18503:2015场致发射表面分析标准
3.GB/T31469-2015半导体材料功函数测试方法
4.IEC60747-14-3电子器件二次发射测试规范
5.GB/T20234-2018真空电子材料表面处理评价标准

检测设备

1.蔡司Sigma500扫描电子显微镜：配备Inlens二次电子探测器
2.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持fA级电流测量
3.OmicronUHV表面分析系统：含LEED/AES复合探头
4.ThermoScientificESCALABXi+：XPS深度剖析功能
5.Agilent4156C精密源表：100aA分辨率电流测量
6.RBD公司Model9100场发射测试台：最大场强50V/μm
7.LakeShoreCRX-VF低温探针台：温控范围4K-500K
8.UlvacPHI710扫描俄歇微探针：空间分辨率8nm
9.SPECSPhoibos150半球能量分析仪：能量分辨率0.1%
10.Keithley2636B双通道源表：脉冲模式上升时间<10μs